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J-GLOBAL ID：201002260630823956   整理番号：10A0823253

Schottkyダイオードへの応用を目指したNiを触媒としたシリコンナノワイヤアレイの成長

Ni-catalyzed growth of silicon wire arrays for a Schottky diode

著者 (9件)： JEE Sang-won (Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR) ,  KIM Joondong (Nano-Mechanical SRC, Korea Inst. of Machinery and Materials, Daejeon 305343, KOR) ,  JUNG Jin-young (Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR) ,  UM Han-don (Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR) ,  MOIZ Syed Abdul (Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR) ,  YOO Bongyoung (Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR) ,  CHO Hyung Koun (School of Advanced Materials Sci. and Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440746, KOR) ,  PARK Yun Chang (Measurement and Analysis Div., National Nanofab Center, Daejeon 305806, KOR) ,  LEE Jung-ho (Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 4  ページ： 042103  発行年： 2010年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Niを触媒とする気相-液相-固相成長法によって,縦方向に成長したSiのナノワイヤアレイを大量に作製した。単一のSiワイヤの長さは数十マイクロメートルで,主茎部は純粋なSi,そしてチップはNiSi₂によって構成されている。Siに対して僅かに格子不整合したNiSi₂のチップはSiワイヤ上に連続的に形成されることが分かった。更に,このシステムはSchottky接触を形成し,整流比は10²程度で,漏洩電流はおよそ2.88×10^-10Aであることが分かった。縦型のSiワイヤの成長機構とSchottkyダイオードの性能を議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  触媒 ,  ニッケル ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノワイヤ ,  VLS成長 ,  アレイ ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  漏れ電流 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ケイ化ニッケル

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Schottkyダイオード ,  応用 ,  Ni ,  触媒 ,  シリコン ,  ナノワイヤアレイ ,  成長