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J-GLOBAL ID：201002260692543259   整理番号：10A1152327

外部殻そしてすべての殻を接触させることによる多層カーボンナノチューブの輸送比較

Transport Comparison of Multiwall Carbon Nanotubes by Contacting Outer Shell and All Shells

著者 (7件)： LUO Qiang (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CUI A-Juan (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Yi-Guang (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LU Chao (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  JIN Ai-Zi (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YANG Hai-Fang (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GU Chang-Zhi (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 11  ページ： 7477-7480  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部殻だけそしてすべての殻を連続的に接触させることにより個々の多層炭素ナノチューブ(MWCNT)の輸送性質を比較するための単純な方法を提案する。この方法は半導体技術と両立できる。電子線リソグラフィー(EBL)パターン化,金属堆積,そしてリフトオフ過程の順序により外部殻だけを接触させるTi/Au電極をナノチューブ上に作製した。その輸送性質を特性評価した後に,集束イオンビーム(FIB)を用いて堆積した状態の電極において同じナノチューブを通して穴を開けた。次いで,W(CO)₆前駆体気体からタングステンのイオン誘起堆積により穴と電極への新しい接触を作った。輸送結果は,すべての殻への新しい接触が殻と殻の間の抵抗をきれいにすることができ,外部殻だけを接触させる場合の電気コンダクタンスに比べてチューブのそれを約8倍改善できることを示した。

シソーラス用語： *多層カーボンナノチューブ ,  *電子ビームリソグラフィー ,  パターン形成 ,  微細加工 ,  金属薄膜 ,  多層膜 ,  *膜電極 ,  チタン ,  金 ,  *集束イオンビーム ,  イオンビーム蒸着 ,  細孔 ,  コバルト錯体 ,  カルボニル錯体 ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： 電子線リソグラフィー ,  リフトオフ

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 殻 ,  多層カーボンナノチューブ ,  輸送