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J-GLOBAL ID：201002260987732002   整理番号：10A0341914

原子状水素を用いたレジスト除去技術 環境に優しい半導体洗浄技術

著者 (1件)： 堀邊英夫 (金沢工大)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 20  号： 4  ページ： 42-48  発行年： 2010年04月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体製造におけるレジスト除去工程において,環境負荷およびコスト低減を図るため,還元力に優れた原子状水素を用いることを検討した。原子状水素はタングステン加熱による接触触媒作用により生成した。原子状水素生成時の基板温度上昇とレジスト膜厚の熱収縮量を測定することにより,レジスト膜厚の熱収縮の効果を除外した,原子状水素とレジストとの反応のみによるレジスト除去速度を求めた。また,水素ガス圧力が7.20Paより低くなるとレジスト除去速度に水素ガス圧力依存性が現れることを見いだした。さらに,原子状水素照射がPoly-Si,SiO₂,SiN膜のパターン形状にどのような影響を及ぼすかをSEM観察により調べた。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *洗浄 ,  フォトレジスト ,  剥離 ,  水素 ,  リソグラフィー ,  窒化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  表面粗さ ,  水素化 ,  *回路パターン形成 ,  圧力効果 ,  熱収縮 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： 原子状水素

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子状水素 ,  レジスト ,  環境 ,  洗浄