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J-GLOBAL ID：201002261350481584   整理番号：10A0554836

AlO_xパシベーション層の採用によるAl-Sn-Zn-In-O薄膜トランジスタの光誘起バイアス安定性の改善

Improvement in the photon-induced bias stability of Al-Sn-Zn-In-O thin film transistors by adopting AlO_x passivation layer

著者 (7件)： YANG Shinhyuk (Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR) ,  CHO Doo-hee (Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR) ,  RYU Min Ki (Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR) ,  PARK Sang-hee Ko (Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR) ,  HWANG Chi-sun (Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR) ,  JANG Jin (Dep. of Information Display, Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR) ,  JEONG Jae Kyeong (Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 21  ページ： 213511  発行年： 2010年05月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究はAl-Sn-Zn-In-O薄膜トランジスタの光促進バイアス安定性のAlO_xパシベーション層の影響について調べたものである。適度なパシベーションした素子は光照射され負の熱ストレス下で,わずかに0.72Vの閾値電圧(V_th)のシフトを示すが,パッシベーション層の無いものでは同様の条件で>11.5Vという極めて大きな負のV_thを示す。光生成ホール捕獲モデルではこの現象は説明できない。代わりにパシベーションしていない素子の光促進V_thは周囲雰囲気中のAT-ZIO裏面に照射後の吸収酸素イオンの光分解が主な要因である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 不動態化 ,  *不動態皮膜 ,  酸化アルミニウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  スズ化合物 ,  *光照射 ,  バイアス ,  *安定性 ,  閾値

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パシベーション層 ,  採用 ,  薄膜トランジスタ ,  光誘起 ,  バイアス ,  安定性