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J-GLOBAL ID：201002261449516754   整理番号：10A0372023

HX-PES法,AE法,全反射率法を用いたCu₂Sにおける不定比性変化のin-situ観察

著者 (8件)： 土屋敬志 (東大 大学院) ,  三好正悟 (東大 大学院) ,  尾山由紀子 (東大 大学院) ,  山下良之 (物材研) ,  寺部一弥 (物材研) ,  小林啓介 (物材研) ,  榎学 (東大 大学院) ,  山口周 (東大 大学院)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 77th  ページ： 297  発行年： 2010年03月26日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化銅 ,  *非化学量論 ,  *スイッチ ,  *スイッチング素子 ,  *混合伝導 ,  *ヘテロ接合 ,  *界面 ,  硬X線 ,  X線光電子分光法 ,  電子構造 ,  構造解析 ,  アコースティックエミッション ,  全反射 ,  反射率 ,  薄膜成長 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電圧依存性 ,  化学シフト ,  バンドギャップ ,  その場観察 ,  *ナノスイッチ ,  *接合界面
準シソーラス用語： *不定比性

分類 (4件)： 電気化学一般  (CB07010N) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： HX ,  AE ,  不定比性 ,  観察