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J-GLOBAL ID：201002261642072723   整理番号：10A1621835

合成条件と使用基板がホモエピタキシャルダイヤモンドの電荷キャリア輸送特性に与える影響

著者 (10件)： 垣本明徳 (北大 院工学研究院) ,  今野雄太 (北大 院工学研究院) ,  金子純一 (北大 院工学研究院) ,  藤田文行 (北大 院工学研究院) ,  後藤拓人 (北大 院工学研究院) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  杢野由明 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 24th  ページ： 100-101  発行年： 2010年11月17日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *微細加工 ,  *ダイヤモンド ,  輸送現象 ,  キャリア ,  基板 ,  *化学蒸着 ,  ドリフト速度 ,  ホモエピタクシー ,  キャリア輸送 ,  電荷キャリア ,  *単結晶ダイアモンド ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  速度
準シソーラス用語： *リフトオフ法 ,  *CVD【化学蒸着】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電荷キャリア ,  輸送特性