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J-GLOBAL ID：201002261829089280   整理番号：10A0685133

22nm技術ノードでのEUVリソグラフィー技術

EUV Lithography at the 22-nm technology node

著者 (32件)： WOOD Obert (GLOBALFOUNDRIES, NY, USA) ,  KOAY Chiew-Seng (IBM Corp., NY, USA) ,  PETRILLO Karen (IBM Corp., NY, USA) ,  MIZUNO Hiroyuki (Toshiba America Electronic Components, NY, USA) ,  RAGHUNATHAN Sudhar (IBM Corp., NY, USA) ,  ARNOLD John (IBM Corp., NY, USA) ,  HORAK Dave (IBM Corp., NY, USA) ,  BURKHARDT Martin (IBM Corp., NY, USA) ,  MCINTYRE Gregory (IBM Corp., NY, USA) ,  DENG Yunfei (GLOBALFOUNDRIES, CA) ,  LA FONTAINE Bruno (GLOBALFOUNDRIES, CA) ,  OKOROANYANWU Uzo (GLOBALFOUNDRIES, NY, USA) ,  WALLOW Tom (GLOBALFOUNDRIES, CA) ,  LANDIE Guillaume (STMicroelectronics, NY, USA) ,  STANDAERT Theodorus (IBM Corp., NY, USA) ,  BURNS Sean (IBM Corp., NY, USA) ,  WASKIEWICZ Christopher (IBM Corp., NY, USA) ,  KAWASAKI Hirohisa (Toshiba America Electronic Components, NY, USA) ,  CHEN James H.-C. (IBM Corp., NY, USA) ,  COLBURN Matthew (IBM Corp., NY, USA) ,  HARAN Bala (IBM Corp., NY, USA) ,  FAN Susan S.-C. (IBM Corp., NY, USA) ,  YIN Yunpeng (IBM Corp., NY, USA) ,  HOLFELD Christian (AMTC, Dresden, DEU) ,  TECHEL Jens (AMTC, Dresden, DEU) ,  PETERS Jan-Hendrik (AMTC, Dresden, DEU) ,  BOUTEN Sander (ASML, NY, USA) ,  LEE Brian (ASML, NY, USA) ,  PIERSON Bill (ASML, NY, USA) ,  KESSELS Bart (ASML, NY, USA) ,  ROUTH Robert (ASML, NY, USA) ,  CUMMINGS Kevin (ASML, NY, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7636  号： Pt.2  ページ： 76361M.1-76361M.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SRAMデバイススケーリング研究で最も困難な層(接触および第1相互接続レベル)のパターン形成にEUVリソグラフィーが有用であることを証明することが始められている。本論文では,0.25NA アルファデモツール(ADT)とEUVリソグラフィーを使用した22nmノード試験チップのコンタクトと第1相互接続レベル印刷の成功を記述した。単一露光EUVリソグラフィーを用いた大きな(約24mm×約32mm)22nmノード試験チップ内0.076および0.094μm²SRAMの1限界層のパターン形成を記述した。22nmノードでの印刷品質およびデバイス歩留りは193nm液浸リソグラフィーよりかなり高い。EUV光近接効果補正を検討し,15nm技術ノードでの初期デバイス開発研究のサポートに0.25NA ADTとEUVリソグラフィーを使用できることを示した。

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  真空紫外線 ,  補正 ,  節点 ,  微細加工 ,  *半導体チップ ,  パターン形成
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  テストチップ ,  *ノード ,  光近接効果補正

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： ノード ,  EUVリソグラフィー