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J-GLOBAL ID：201002261933005365   整理番号：10A0052804

CrSi₂-Cr-SiCターゲットからS銃マグネトロンによって蒸着した薄いサーメット抵抗器膜のミクロ構造と抵抗の温度係数

Microstructure and temperature coefficient of resistance of thin cermet resistor films deposited from CrSi₂-Cr-SiC targets by S-gun magnetron

著者 (1件)： FELMETSGER Valery V. (Tegal Corp., 51 Daggett Drive, San Jose, California 95134)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 28  号： 1  ページ： 33  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1000Ω/squareより大きいシート抵抗と,低い抵抗の温度係数(TCR)を持つ,ナノスケールサーメット抵抗器膜を製造するための技術的ソリューションを調べた。厚さ2~40nmのサーメット膜を,CrSi₂-Cr-SiCターゲットから,二陰極直流S銃マグネトロンによってスパッタ蒸着した。膜抵抗対温度を研究することに加えて,ナノ膜の構造的特徴と組成を分析した。走査電子顕微鏡法,原子間力顕微鏡法,高分解能透過電子顕微鏡法,エネルギー分散X線分光法,及び電子エネルギー損失分光法を用いた。この研究は,環境及び高めた温度において蒸着した全てのサーメット抵抗器膜が,アモルファスであることを明らかにした。これらの膜におけるSi対Crの原子比は,約2から1であった。膜のTCRは,蒸着膜の厚さを2.5nm以下に縮小すると,かなりの増加を見せた。最適化したスパッタ工程は,膜の熱安定化と膜のTCRの微細調整に非常に効果的であることを見いだした。それはウエハ脱ガス,rf基板バイアスを用いる高めた温度でのサーメット膜蒸着,及び真空中での二重アニーリングから成る。後者は膜のスパッタリングに続くその場アニーリングと,ウエハの空気への暴露に続く追加のアニーリングから成る。2.5~4nmの範囲の厚さを持ち,この技法を用いて蒸着したサーメット膜は,1800から1200Ω/squareまで変化するシート抵抗を持った。また-50ppm/°Cからゼロ近くまでのTCR値をそれぞれ持った。抵抗安定化とTCR低減に帰着する,(空気への予備暴露の後の)真空中のサーメット膜のアニーリングの,高い効率の原因である可能性のある機構もまた論じる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *抵抗器 ,  シート抵抗 ,  温度係数 ,  *サーメット ,  薄膜 ,  ナノ構造 ,  製造 ,  ケイ化物 ,  クロム化合物 ,  クロム ,  炭化ケイ素 ,  ターゲット ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  組成 ,  温度 ,  非晶質 ,  ケイ素 ,  熱安定化 ,  脱ガス ,  焼なまし
準シソーラス用語： アニーリング ,  アモルファス

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cr ,  SiC ,  ターゲット ,  銃 ,  マグネトロン ,  蒸着 ,  サーメット抵抗器 ,  ミクロ構造 ,  抵抗の温度係数