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J-GLOBAL ID：201002261933222978   整理番号：10A1621890

積極的電荷捕獲と光漏れ電流測定を用いたCVDダイヤモンド中における電荷キャリア捕獲準位の評価

著者 (12件)： 後藤拓人 (北大 院工学研究院) ,  藤田文行 (北大 院工学研究院) ,  金子純一 (北大 院工学研究院) ,  今野雄太 (北大 院工学研究院) ,  佐藤圭 (北大 院工学研究院) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  杢野由明 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  垣本明徳 (北大 院工学研究院) ,  本間彰 (北大 院工学研究院) ,  鹿田真一 (産業技術総合研) ,  古坂道弘 (北大 院工学研究院)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 24th  ページ： 232-233  発行年： 2010年11月17日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  化学蒸着 ,  *キャリア捕獲 ,  電荷 ,  光電流 ,  *エネルギー準位 ,  紫外線照射 ,  多結晶 ,  単結晶 ,  電荷捕獲 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： 光漏れ

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電荷捕獲 ,  光漏れ ,  電流測定 ,  CVDダイヤモンド ,  電荷キャリア ,  捕獲準位 ,  評価