文献

J-GLOBAL ID：201002262131657878   整理番号：10A0491108

転位に基づくSiナノ素子

Dislocation-Based Si-Nanodevices

著者 (7件)： REICHE Manfred (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  KITTLER Martin (HIP Frankfurt(Oder), Frankfurt(Oder), DEU) ,  BUCA Dan (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  HAEHNEL Angelika (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  ZHAO Qing-Tai (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  MANTL Siegfried (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  GOESELE Ulrich (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DJ02.1-04DJ02.5  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 疎水性水結合による定義された転位ネットワークの実現は個々の転位の電気的特性化を可能にする。高密度転位から僅か六個の転位を含む試料における転位の特性を調べた。種々の転位密度に対して測定した電流を外挿し,単一転位により誘起される電流を決定した。本研究とこれ迄に報告された解析に基づいて,個々の転位の電気的性質を推論できる。MOSFETのチャンネル中の転位は低いドレイン電圧やゲート電圧でもドレイン電流を増加させる。チャンネル中に単一転位が存在すると電流が最大に増加するので,各々が一転位を含むMOSFETの配列をナノメータ規模で実現できる。転位の距離は水結合技術により十分に制御できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *固体素子 ,  *転位【結晶】 ,  *電流 ,  電気的性質 ,  MOSFET ,  ケイ素
準シソーラス用語： *ナノ素子 ,  *ドレイン電流

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (21件)：

• D. A. Antoniadis and A. Khakilirooz: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 253.
• W. Haensch, E. J. Nowak, R. H. Dennard, P. M. Solomon, A. Bryant, O. H. Dokumaci, A. Kumar, X. Wang, J. B. Johnson, and M. V. Fischetti: IBM J. Res. Dev.50(2006)339.
• R. Venugopal, S. Goasguen, S. Datta, and M. S. Lundstrom: J. Appl. Phys.95(2004)292.
• R. Chau, B. Boyanov, B. Doyle, M. Doczy, S. Datta, S. Hareland, B. Jin, J. Kavalieros, and M. Metz: Physica E 19(2003)1.
• T. Ernst, L. Duraffourg, C. Dupré, E. Bernard, P. Andreucci, S. Bécu, E. Oilier, A. Hubert, C. Halteé J. Buckley, O. Thomas, G. Delapierre, S. Deleonibus, B. de Salvo. P. Robert, and O. Faynot: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 745.

タイトルに関連する用語 (3件)： 転位 ,  Si ,  ナノ素子