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J-GLOBAL ID：201002262298527178   整理番号：10A0814335

Siおよび二軸性歪み-Si金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける剪断応力誘起電子移動度増大の実験的決定

Experimental Determination of Shear Stress induced Electron Mobility Enhancements in Si and Biaxially Strained-Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (3件)： WEBER Olivier (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shin-ichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 7,Issue 1  ページ： 074101.1-074101.5  発行年： 2010年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siおよび二軸性歪みSi/SiGe(001)nチャンネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に機械的応力を印加することにより,一軸,二軸,及び剪断応力下における電子移動度の増大を実験的に明らかにした。種々の二軸性歪みレベルに関する一軸,二軸,及び剪断応力間の移動度増大に対する付加的応力効果を導出し,これら種々の応力誘起移動度増大の物理的機構について検討した。上記のように,バンド歪み機構を持つ剪断応力は電子移動度の増強を増強し,バレー(谷)占有機構によって二軸応力移動度増大の飽和を克服するために有効である。(110)一軸性応力に含まれる剪断応力によって誘起される2回折り畳みバレーの歪みと有効質量変化を実験的に定量化した。2回折り畳みバレーの0.19m₀横方向有効質量m_tは,400MPa剪断応力下で10%減少することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  半導体 ,  *剪断応力 ,  *キャリア移動度 ,  一軸圧縮試験 ,  引張試験
準シソーラス用語： *電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (38件)：

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タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  歪み ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  剪断応力 ,  誘起 ,  電子移動度 ,  実験