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J-GLOBAL ID：201002262333349091   整理番号：10A1542882

マイクロポーラス高分子エッチマスクを用いたシリコンのテクスチャリング

Texturing of silicon using a microporous polymer etch mask

著者 (3件)： KORIVI N. S. (Electronic Material and Device Lab., Dep. of Electrical and Computer Engineering, Louisiana State Univ., Baton Rouge ...) ,  HOFFPAUIR J. (Electronic Material and Device Lab., Dep. of Electrical and Computer Engineering, Louisiana State Univ., Baton Rouge ...) ,  AJMERA P. K. (Electronic Material and Device Lab., Dep. of Electrical and Computer Engineering, Louisiana State Univ., Baton Rouge ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6K8  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,シリコン表面上の高分子層の形成に基づいた,マイクロスケール寸法におけるシリコン表面のテクスチャリングについて報告した。高分子層を,はじめ,その中に異材料を組み込み,次いで,その異材料を除去して細孔を後に残すことにより,ポーラスとした。高分子における細孔は,マイクロスケール寸法で,相互結合した構造をもち,高分子層が化学的エッチマスクとして機能することを可能にした。相互結合した細孔は,エッチャントが下層のシリコンに接近してエッチすることを可能にし,シリコン表面のテクスチャリングを生じた。シリコンのテクスチャリングを,他の因子の中でもとくに,高分子層における空隙率を調整することにより制御できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *表面 ,  テキスチャード加工 ,  *高分子膜 ,  *細孔 ,  多孔性 ,  マスク ,  エッチング液 ,  空隙率
準シソーラス用語： シリコン ,  *テクスチャリング ,  マイクロポーラス ,  相互結合 ,  *化学エッチング ,  腐食液

分類 (2件)： その他の表面処理  (WC08070F) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： マイクロポーラス ,  高分子 ,  エッチ ,  マスク ,  シリコン ,  テクスチャリング