TiO<sub>2</sub>ナノ複合誘電体を挿入した高性能ポリ(3-ヘキシルチオフェン)トップゲートトランジスタ

YANG Feng-yu; HSU Meei-yu; HWANG Gue-wuu; CHANG Kuo-jui

文献

J-GLOBAL ID：201002262351215167 整理番号：10A0054517

TiO₂ナノ複合誘電体を挿入した高性能ポリ(3-ヘキシルチオフェン)トップゲートトランジスタ

High-performance poly(3-hexylthiophene) top-gate transistors incorporating TiO₂ nanocomposite dielectrics

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資料名：
巻： 11 号： 1 ページ： 81-88 発行年： 2010年01月
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

高分子/TiO₂ナノ複合体二重層誘電体を挿入した上部ゲートP3HT有機電界効果トランジスタ(OFETs)の作成を述べた。TiO₂ナノ複合体はPVP(ポリビニルフェノール),架橋剤PMF(ポリメラミン-co-ホルムアルデヒド),および棒状アナターゼ構造で高分子溶媒で溶液処理できるTiO₂ナノ粒子(NPs)からなるので,複合誘電体溶液は下層のP3HT膜を損傷,溶解せずに上部ゲートOFETに使用するため容易に調製できる。SEMとAFMの像によるとナノ複合膜は高度に一様性を持つ。OFET素子の性能に及ぼすTiO₂有/無複合誘電体の効果を決定するため半導体層とゲート誘電体の間にPMMA緩衝層を挿入して半導体-誘電体界面を一定に保った。PMMA/TiO₂ナノ複合体二重層ゲート誘電体を挿入した素子は負荷電圧20V以内でPMMA/PVP/PMF誘電体構造の素子の3倍の良好な移動度(μ)1.5×10^-2cm²/Vsで効果的に作動し,オン/オフ比はナノ複合体素子(8.6×10⁶)はPVP/PMF素子(1.5×10⁵)より著しくよかった。PMMA/TiO₂ナノ複合体は負荷電圧10V以下でも妥当な性能を示した。TiO₂ナノ複合体の単一誘電体層を挿入したOFETの性能(μ=0.001cm²/Vs,オン/オフ比5.7×10²)は二重層ゲート誘電体素子より劣った。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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高分子固体の物理的性質 , 誘電体一般 , トランジスタ

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TiO2ナノ複合誘電体を挿入した高性能ポリ(3-ヘキシルチオフェン)トップゲートトランジスタ

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