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J-GLOBAL ID：201002262428599508   整理番号：10A0920645

Mg_xZn_1-xOとBe_xZn_1-xO量子井戸の電子および光学特性

Electronic and Optical Properties of Mg_xZn_1-xO and Be_xZn_1-xO Quantum Wells

著者 (7件)： FURNO Enrico (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  FURNO Enrico (Boston Univ., MA, USA) ,  CHIARIA Simone (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  PENNA Michele (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  PENNA Michele (Boston Univ., MA, USA) ,  BELLOTTI Enrico (Boston Univ., MA, USA) ,  GOANO Michele (Politecnico di Torino, Torino, ITA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 7  ページ： 936-944  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO系ワイドギャップ半導体はLED用途に注目されているが,デバイスの動作理論と最適化のために正確な数値シミュレーションが必要である。本稿では,ZnO系LEDのシミュレーション行うため,材料パラメータの再評価を行った。また,バルクZnO,ZnO/MgZnO量子井戸の電子構造や界面電荷についてシミュレーションを行うとともに,ZnO/BeZnOマルチ量子井戸について初めてのシミュレーションを行い,実測値と計算値の良い一致を得た。その結果,本シミュレーション方法は,MQWの実際構造の不確定性のため,定量的な結果を求めることができないが,予備的には,半導体材料とヘテロ界面特性についてよい評価手段になることが分かった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *量子井戸 ,  光学的性質 ,  *発光ダイオード ,  シミュレーション ,  多重量子井戸 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： LED ,  MQW ,  ZnO ,  ワイドギャップ半導体 ,  光学特性

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子井戸 ,  電子 ,  光学特性