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J-GLOBAL ID：201002262445376164   整理番号：10A1126633

撮像素子の微細化技術の現状と将来展望 1μm世代CMOSイメージセンサの画素技術

著者 (3件)： 中村淳一 (アプティナ・ジャパン デザインセ) ,  AGRANOV Gennadiy (アプティナ・ジャパン デザインセ) ,  MAURITZSON Rick (アプティナ・ジャパン デザインセ)
資料名： 光技術コンタクト  (Optical and Electro-Optical Engineering Contact)
巻： 48  号： 10  ページ： 457-461  発行年： 2010年10月20日 
JST資料番号： S0624A  ISSN： 0913-7289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOSイメージセンサ微細化画素の基本構成,画素共有技術,トランジスタ数の削減技術,裏面照射技術,シミュレーション技術について概略を説明し,次いで,1μm台表面照射型画素の開発例を取り上げ,採用した技術,画素の特性を具体的に紹介した。開発例では,自己リセット方式を採用することにより行選択トランジスタを不要とし,ライトガイドと呼ぶ光導波構造を導入することにより,裏面照射型の問題点の解決を図っている。ライトガイドのFDTDシミュレーション結果から,入射角依存特性の向上,シリコン中での光クロストークの抑制が可能になることが分かる。画素サイズの異なる1/4インチ光学サイズのCMOSイメージセンサの再生画像の比較例を示し,光学サイズを一定とすると,画素が小さくなっても量子効率を一定に保てれば,空間解像度を向上させながらも画素アレイ全体の感度は保たれることを示した。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  CMOS構造 ,  精密化 ,  画素 ,  技術開発 ,  有限差分時間領域法 ,  光導波路
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  FDTD法 ,  微細化

分類 (2件)： 電荷移送デバイス  (NC03130E) ,  写真機とその付属品  (QF05030V)

引用文献 (9件)：

• G. Agranov, et al.,“Pixel continues to shrink....Pixel development for novel CMOS image sensors”, International Image Sensor Workshop, 2009.
• K. Itonaga, et al.,“0.9μm pitch pixel CMOS image sensor design methodology,” IEDM Tech. Dig., pp. 555-558, 2009.
• N. Teranishi, et al.,“No image lag photodiode structure in the interline CCD image sensor,” IEDM Tech. Dig., pp. 113-116, December 1982.
• 高橋秀和,「CMOSイメージセンサにおける画素縮小化技術」, 映像情報メディア学会誌, Vol.60, No.3, pp. 295-298, 2006.
• G. Agranov, et al.,“Small pixel development for novel CMOS image sensors,” Proc. SPIE, Vol.7001.

タイトルに関連する用語 (7件)： 撮像素子 ,  微細化 ,  現状 ,  将来展望 ,  世代 ,  CMOSイメージセンサ ,  画素