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J-GLOBAL ID：201002262527672241   整理番号：10A0350384

n-GaN/i-AlN/n-GaN三重キャップ層とhigh-kゲート誘電体を備えたエンハンスメントモードGaN MIS-HEMT

Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs With n-GaN/i-AlN/n-GaN Triple Cap Layer and High-k Gate Dielectrics

著者 (7件)： KANAMURA Masahito (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  OHKI Toshihiro (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  KIKKAWA Toshihide (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  IMANISHI Kenji (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  IMADA Tadahiro (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  YAMADA Atsushi (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  HARA Naoki (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 3  ページ： 189-191  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力用GaN系HEMTについて,エンハンスメントモード動作の実現に適したデバイス構造とそれによる性能の向上を実証した。MIS-HEMT構造で,n-GaN/i-AlN/n-GaN三重キャップ層の導入,ゲートリセスエッチング,原子層堆積high-kゲート誘電体を組合せた。3端子オフ状態ブレークダウン電圧は320Vと高く,最大ドレイン電流と閾値電圧はそれぞれ800mA/mmと+3Vの高性能であった。

シソーラス用語： *HEMT ,  キャップ ,  保護膜 ,  ゲート【半導体】 ,  *素子構造 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  MIS構造 ,  閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： キャップ層 ,  ブレークダウン電圧 ,  *窒化ガリウムHEMT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  AlN ,  キャップ層 ,  ゲート誘電体 ,  エンハンスメントモード ,  MIS ,  HEMT