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J-GLOBAL ID：201002262568928161   整理番号：10A0041854

差分読出し能力を有するソフトエラー耐性10トランジスタSRAMビットセル

A Soft Error Tolerant 10T SRAM Bit-Cell With Differential Read Capability

著者 (3件)： JAHINUZZAMAN Shah M. (Concordia Univ., QC, CAN) ,  RENNIE David J. (Univ. Waterloo, ON, CAN) ,  SACHDEV Manoj (Univ. Waterloo, ON, CAN)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 56  号： 6,Pt.2  ページ： 3768-3773  発行年： 2009年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ規模の集積回路は粒子誘起シングルイベント過渡現象(SET)に極めて敏感である。ロバストな検出のために差分読出し動作が可能なソフトエラー耐性四ノード10トランジスタ(10T)SRAMセルを示した。セルはサブ0.45V領域の大きな雑音許容範囲と通常のソフトエラー耐性6T SRAMセルよりも漏れ電流が26%少ない。このセルは半分の供給電圧で6Tセルと同じ雑音許容範囲を与え,従って漏れ電力を有意に節約できる。また,加速中性子照射試験では,ソフトエラー率は6Tセルよりも98%低かった。

シソーラス用語： *ソフトエラー ,  *SRAM ,  漏れ電流 ,  中性子照射 ,  *耐放射線性 ,  データ読取 ,  雑音低減 ,  回路シミュレーション ,  過渡現象 ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： *SET ,  シングルイベント過渡現象 ,  差分読出し

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 差分 ,  読出し ,  能力 ,  ソフトエラー ,  耐性 ,  トランジスタ ,  SRAM ,  ビット ,  セル