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J-GLOBAL ID：201002262681062057   整理番号：10A0253137

電荷捕獲フラッシュメモリに応用する様々な厚みのHfO₂層の電荷捕獲特性

Charge trapping properties of the HfO₂ layer with various thicknesses for charge trap flash memory applications

著者 (2件)： YOU Hee-wook (Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 447-1 Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR) ,  CHO Won-ju (Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 447-1 Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 9  ページ： 093506  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MHOS(金属-HfO₂-SiO₂-Si)構造キャパシタを作成して,電荷捕獲フラッシュ(CTF)メモリに応用する様々な厚みのHfO₂層の電荷捕獲特性を調べた。また,HfO₂層における電荷捕獲の重心を一定電流ストレス法により求め,従来型のSi₃N₄層の場合と比較した。MHOSキャパシタのトンネリングが原因となったゲート漏れ電流は,SiO₂トンネル薄層の上にHfO₂捕獲層を積層すると著しく減少した。MHOSキャパシタは,同じ捕獲層厚のMNOS(金属-Si₃N₄-SiO₂-Si)キャパシタの場合より大きいメモリウィンドウを見せる。これはHfO₂層がSi₃N₄層よりも良好な電荷捕獲効率を持つためである。厚みが2nmの極めて薄いHfO₂捕獲層は厚みが7nmのSi₃N₄層と殆ど同じ電荷を蓄積することが分った。結果として,超薄HfO₂を電荷捕獲層に適用すると,高密度CTFメモリの性能を相当改善し,増強できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  *キャリア捕獲 ,  窒化ケイ素 ,  コンデンサ ,  トンネル効果 ,  漏れ電流 ,  二酸化ケイ素 ,  素子構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： キャパシタ ,  MNOS構造 ,  メモリウィンドウ【半導体】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷捕獲 ,  フラッシュメモリ ,  応用 ,  厚み ,  HfO2