文献

J-GLOBAL ID：201002262709218864   整理番号：10A0296399

Photomask Japan 2010《32/22nm以降を睨むフォトマスクの最新動向》2xnm向けマスク製造技術は大きく進展EUV向けはマスク検査の基準も定まらず

著者 (1件)： 原峰葉
資料名： Electronic Journal  (Electronic Journal)
号： 192  ページ： 59-60  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： L5481A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フォトマスクの最新動向について述べた。半導体用フォトマスク市場は,2009年には前年比マイナスになったと見られるが,同年後半から除々に回復に向かっており,2010年も緩やかな回復に留まると予測される。一方,2009年のマスク検査装置市場は,前年と比較し,大幅に回復した模様である。32/2xnm向けでは,SMO(Source Mask Optimization)の検討が進められている。EUV用は,マスクおよびブランクスの検査技術の開発が早急に求められている。EUV光を用いたアクティニック検査は,膨大な開発費が大きな課題となっており,足止め状態のようにも見える。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  *需要動向 ,  *マスク ,  極端紫外線 ,  リソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  欠陥検査 ,  日本 ,  SRAM ,  コンタクトホール
準シソーラス用語： EUVマスク

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： フォトマスク ,  最新動向 ,  マスク ,  進展 ,  EUV ,  マスク検査