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J-GLOBAL ID：201002262727610305   整理番号：10A0346519

金属/HfO₂/SiO₂/n-Siから成る積層ゲートの仕事関数の測定において観測される正孔のトンネリング

Tunneling of holes observed at work function measurements of metal/HfO₂/SiO₂/n-Si gate stacks

著者 (4件)： ROTHSCHILD J. A. (Dep. of Materials Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  AVRAHAM H. (Dep. of Materials Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  LIPP E. (Dep. of Materials Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  EIZENBERG M. (Dep. of Materials Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 12  ページ： 122102  発行年： 2010年03月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/HfO₂/SiO₂/n-Siから成るコンデンサの電流-電圧特性における直接トンネリングからFowler-Nordheim型トンネリングへの遷移を誘発する電圧バイアスを測定した。遷移は負のゲート電圧の印加の下で起こり,HfO₂における欠陥準位を介した金属からの電子の伝導,あるいはHfO₂の価電子帯を介したSiからの正孔の伝導に起因することが分かった。決定した障壁高のゲート金属の仕事関数に対する依存性から,後者のモデルが妥当であることが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  二酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  ケイ素 ,  N型半導体 ,  *MOS構造 ,  *仕事関数 ,  トンネル効果 ,  コンデンサ ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  欠陥準位 ,  ポテンシャル障壁

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： HfO2 ,  SiO2 ,  Si ,  積層ゲート ,  仕事関数 ,  観測 ,  正孔 ,  トンネリング