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J-GLOBAL ID：201002262888901962   整理番号：10A1001381

0.53eVのGaInAsSbから成る熱光起電ダイオードの解析的吸収モデルに基づく評価

Evaluating 0.53 eV GaInAsSb thermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model

著者 (7件)： WANG Y (Inst. of Semiconductor, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN N F (North China Electric Power Univ., Beijing, CHN) ,  CHEN N F (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHANG X W (Inst. of Semiconductor, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  HUANG T M (Inst. of Semiconductor, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YIN Z G (Inst. of Semiconductor, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  BAI Y M (North China Electric Power Univ., Beijing, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 9  ページ： 095002,1-8  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップが0.53eVのGa_0.84In_0.16As_0.14Sb_0.86から成る熱光起電力(TPV)型ダイオードの光熱変換特性を,実験データのフィッティングによる光吸収スペクトルに基づいて理論的に評価した結果を報告する。計算結果から,ドーピングに依存する構造の変化はベースとエミッタに関して反対の振る舞いを示すことが分かった。一方,スペクトル依存性を持つ構造の変化はベースとエミッタで同じような振る舞いを示すことが分かった。計算結果から,ベースへの最適なドーピング量は3~4×10¹⁷cm^-3で,照射光スペクトルには敏感でないことが分かった。素子材料を節約する観点から,エミッタの厚さは0.2~0.6μm,そしてベースの厚さは4~6μmでも,素子性能の著しい劣化なしに作動することを確認した。重要なことは,本稿で議論した評価法は合金を基本とするオプトエレクトロニクス素子の最適化に簡単に応用できることである。

シソーラス用語： ヒ化物 ,  アンチモン化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *光起電力 ,  *熱起電力 ,  ダイオード ,  光吸収スペクトル ,  キャラクタリゼーション ,  ドーピング ,  ベース【半導体】 ,  エミッタ【半導体】 ,  最適化
準シソーラス用語： *熱光起電力 ,  *熱光起電素子

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイオード ,  解析 ,  吸収モデル ,  評価