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J-GLOBAL ID：201002262982223048   整理番号：10A0640538

貫通エッジ及び螺旋転位を含む4H-SiCアバランシェフォトダイオードの電気的キャラクタリゼイション

Electrical characterization of 4H-SiC avalanche photodiodes containing threading edge and screw dislocations

著者 (4件)： BERECHMAN R. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA) ,  SKOWRONSKI M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA) ,  SOLOVIEV S. (General Electric Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309, USA) ,  SANDVIK P. (General Electric Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 11  ページ： 114504  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小面積4H-SiCアバランシェフォトダイオードの逆電圧電流特性及びエレクトロルミネセンスを研究し,貫通螺旋及びエッジ転位の存在と相関づけた。局所化エレクトロルミネセンスを,破壊に近い電圧において貫通転移において観測したが,広がり欠陥の無いダイオードは,活性領域において一様な発光を示した。エッジあるいは螺旋転位のどちらかを含むダイオードは,転位の無いダイオードに較べて,過剰な漏れ電流と時期の早い破壊を示すことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *貫通転位 ,  *螺旋転位 ,  電流電圧特性 ,  *エレクトロルミネセンス ,  発光 ,  漏れ電流 ,  破壊

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： エッジ ,  螺旋転位 ,  4H-SiC ,  アバランシェフォトダイオード ,  キャラクタリゼイション