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J-GLOBAL ID：201002264179180650   整理番号：10A0177943

面内異方性の引張応力を受けているm面Al_xGa_1-xN膜の偏光特性

Light polarization characteristics of m-plane Al_xGa_1-xN films suffering from in-plane anisotropic tensile stresses

著者 (5件)： HAZU K. (CANTech, Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577 ...) ,  HOSHI T. (CANTech, Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577 ...) ,  KAGAYA M. (CANTech, Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577 ...) ,  ONUMA T. (CANTech, Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577 ...) ,  CHICHIBU S. F. (CANTech, Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 3  ページ： 033701  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 面内異方性の引張応力を受けているm面Al_xGa_1-xNエピ層におけるバンド端近傍の光学遷移の偏光特性を定量化した。このエピ層はアンモニア原料の分子ビームエピタクシー法と有機金属気相エピタクシー法により,m面自立GaN基板上に成長させた。偏光方向は,AlNモル因子xが0.25と0.32の間のとき,E⊥cからE∥cへ変化した。Eは光の電場成分,⊥と∥は垂直と平行を各々表す。これら結果を定量的に説明するため,3つの分かれた価電子バンドを含む励起子遷移のエネルギー論と振動子強度を歪の関数として,Bir-Pikusハミルトニアンを使って計算した。この計算により,最低エネルギー遷移(E₁)は0<x≦1では表面に垂直なm軸(X₃)に偏光していると予測した。これはE₁発光が,どのような面内引張歪があるAl_xGa_1-xNでは表面垂線からは原理的に検出できないことを意味する。観測可能な発光の偏光方向は,中間エネルギーの遷移(E₂)ではc軸垂線(X₁)からc軸平行(X₂)へ,そして,x=0.25と0.32の間の最高エネルギー遷移(E₃)ではX₂からX₃へ変化すると予測した。実験結果はこの計算により矛盾なく再現された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  引張応力 ,  MBE成長 ,  MOCVD ,  偏光 ,  電子遷移 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  励起子 ,  振動子強度 ,  *陰極線ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  格子歪
準シソーラス用語： *光学遷移

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 面内異方性 ,  引張応力 ,  偏光特性