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J-GLOBAL ID:201002264632641478   整理番号:10A0127878

Sc-CO2中の触媒化反応とSc-CO2懸濁液中の無電解メッキによるポリマー基材へのNi-P金属の含浸

Impregnation of Ni-P metal into polymer substrate via catalyzation in Sc-CO2 and electroless plating in Sc-CO2 emulsion
著者 (8件):
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巻: 204  号: 11  ページ: 1785-1792  発行年: 2010年02月25日 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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この研究では,超臨界二酸化炭素(Sc-CO2)の触媒化反応とSc-CO2懸濁液中の無電解メッキによるNi-P金属のポリマー基材への含浸を調査し,フィックの法則に基いて計算した,ポリマー中のCO2の拡散と比較した。Sc-CO2には,ポリイミド基板へのNi-P金属の含浸に関連して,高い拡散速度とポリマーとの良好な化学親和力という,2つの大きな効果がある。Pd錯体によるSc-CO2の触媒化反応を行った後に,Sc-CO2の無電解メッキ懸濁液によってNi-P薄膜を作製した。EDX分析によると,Sc-CO2触媒化反応の時間を増加すると,ポリイミドへ中へのNiイオン侵入の濃度と深さの両方が増加した。今回の新しい方法によるNiの含浸反応はCO2拡散律速反応であることが判明した。拡散速度と化学親和力の2つのSc-CO2の特性の中のどれが,主要な役割を演ずるかを明らかにするために,Sc-CO2より拡散速度が低いヘキサンを触媒化反応の溶剤として,懸濁液による無電解メッキ反応を行った。ヘキサン触媒化反応におけるポリイミドの良好な親和性によって,Ni-Pの薄膜が生成した。しかし,顕微鏡観察で多数の亀裂が膜に認められた。ヘキサン中で触媒化を行ったNi-PのEDX分析によれば,Ni-イオンのポリイミドへの浸透濃度は非常に低かった。Sc-CO2の高い拡散速度が,ポリイミド基板中へのPd触媒とNi-P無電解メッキ液の浸透を促進した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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