埋め込まれたAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>層と硫黄による不動態化表面を持つIII-V族半導体-オン-インシュレータから成るnチャンネル型金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ:底面界面におけるキャリア散乱の低減

YOKOYAMA Masafumi; YASUDA Tetsuji; TAKAGI Hideki; MIYATA Noriyuki; URABE Yuji; ISHII Hiroyuki; YAMADA Hisashi; FUKUHARA Noboru; HATA Masahiko; SUGIYAMA Masakazu; NAKANO Yoshiaki; TAKENAKA Mitsuru; TAKAGI Shinichi

文献

J-GLOBAL ID：201002266548291030 整理番号：10A0389013

埋め込まれたAl₂O₃層と硫黄による不動態化表面を持つIII-V族半導体-オン-インシュレータから成るnチャンネル型金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ:底面界面におけるキャリア散乱の低減

III-V-semiconductor-on-insulator n-channel metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with buried Al₂O₃ layers and sulfur passivation: Reduction in carrier scattering at the bottom interface

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著者 (13件)： , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 96 号： 14 ページ： 142106 発行年： 2010年04月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

In_0.53Ga_0.47As-OIのチャネル層と原子層堆積させたAl₂O₃(ALD-Al₂O₃)から成る埋め込み酸化物(BOX)の間における底面界面特性の優れたSiウエハ上に,III-V-半導体-オン-インシュレータ(III-V-OI)構造を作製した。表面の活性化結合プロセスと硫黄による不動態化前処理によって,優れた底面界面特性を有するIn_0.53Ga_0.47As-OI/ALD-Al₂O₃BOXを形成することができた。結果として,バックゲートを持つIII-V-OIから成るn-チャネル型金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタのピーク移動度は1800cm²/Vsで,高い有効電場域においても通常のSiの電界効果トランジスタの電子移動度よりも大きいことが分かった。これは表面の粗さや固定電荷の減少に起因する。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

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埋め込まれたAl2O3層と硫黄による不動態化表面を持つIII-V族半導体-オン-インシュレータから成るnチャンネル型金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ:底面界面におけるキャリア散乱の低減

埋め込まれたAl₂O₃層と硫黄による不動態化表面を持つIII-V族半導体-オン-インシュレータから成るnチャンネル型金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ:底面界面におけるキャリア散乱の低減