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J-GLOBAL ID：201002266771007654   整理番号：10A0822949

ホモ接合ZnTe太陽電池の実証

Demonstration of homojunction ZnTe solar cells

著者 (9件)： TANAKA Tooru (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  YU Kin M. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  STONE Peter R. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  BEEMAN Jeffrey W. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  DUBON Oscar D. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  REICHERTZ Lothar A. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  KAO Vincent M. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  NISHIO Mitsuhiro (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN) ,  WALUKIEWICZ Wladek (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 2  ページ： 024502  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接合深さを制御するために,n-ZnTe層を,Alを数回の拡散によるp-ZnTe中への熱拡散により作製したホモ接合ZnTe太陽電池の光起電力活性の証明について報告した。1×sun AM1.5G条件下において,近似的に0.9Vの開回路電圧を,拡散回数に依らず,すべての太陽電池で得る一方,短絡回路電流は,重欠陥性Al拡散層における光吸収の増加により,拡散回数の増大とともに減少した。これらの基本的な結果は,ZnTe材料に基づいた中間バンド太陽電池の将来の開発に関する基礎を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  半導体接合 ,  *テルル化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  *熱拡散 ,  光起電力 ,  短絡電流
準シソーラス用語： ホモ接合 ,  回数 ,  開回路電圧 ,  短絡回路電流 ,  *中間バンド太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホモ接合 ,  ZnTe ,  太陽電池 ,  実証