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J-GLOBAL ID：201002266969603163   整理番号：10A0611057

マルチフィンガーゲート構造でコンタクトエッチ停止層歪のある40nmMOSFETの駆動能力に対するフィンガーピッチの効果

Effect of Finger Pitch on the Driving Ability of a 40-nm MOSFET With Contact Etch Stop Layer Strain in Multifinger Gated Structure

著者 (9件)： CHEN Ming-Shing (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  FANG Yean-Kuen (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  JUANG Feng-Renn (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHIANG Yen-Ting (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN Cheng-I (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Tung-Hsing (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  TSENG Chih-Yu (United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN) ,  CHOU Sam (United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Chii-Wen (Minghsin Univ. Sci. and Technol., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 6  ページ： 1355-1361  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF特性を最大化しRF雑音を低減する構造としてマルチフィンガーゲート構造(MFGS)が採られている。ナノ領域のCMOS技術では電流駆動能力増強のために高応力のコンタクトエッチ停止層(CESL)を使う。応力の型,材料,CESLデポジションプロセスがチャネルのキャリア移動度増強を左右する。CESLを使ったマルチフィンガー40nm nMOSFETでポリゲートフィンガーピッチがI_on,ホットキャリア誘起信頼性低下,高周波特性に与える効果を実験とT-CADシミュレーションで調べた。I_onとf_Tはフィンガーピッチが狭まると増加する。フィンガーピッチ,幅,本数はゲート抵抗と容量に影響し,従ってf_Tとf_maxにも影響する。f_Tとf_maxに対するこれら寄生要素の影響は互いに相反するものであるから,最適な高周波性能を達成するにはフィンガー本数,幅,レイアウトでトレードオフをとる必要がある。これらの影響は0.12μm以下のピッチでより顕著になる。

シソーラス用語： *MOSFET ,  引張応力 ,  素子構造 ,  キャリア移動度 ,  *ゲート【半導体】 ,  電流 ,  シミュレーション ,  構造 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： CESL ,  駆動電流 ,  *電極構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： コンタクト ,  エッチ ,  停止層 ,  歪 ,  能力 ,  ピッチ