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J-GLOBAL ID：201002267521913532   整理番号：10A0683750

フリップチップボールグリッドアレーにおける,はんだ接合の金属間化合物とアンダーバンプメタライゼーションの間の接合部における空間伝播エレクトロマイグレーションのモデル化

Modeling of electromigration on void propagation at the interface between under bump metallization and intermetallic compound in flip-chip ball grid array solder joints

著者 (3件)： JEN Ming-hwa R. (Dep. of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering, National Sun Yat-sen Univ., 70 Lien-hai Rd., Kaohsiung 804 ...) ,  LIU Lee-cheng (Dep. of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering, National Sun Yat-sen Univ., 70 Lien-hai Rd., Kaohsiung 804 ...) ,  LAI Yi-shao (Corporate R&D Center, Advanced Semiconductor Engineering, Inc., 2F, 21, Kai Fa Rd., 811 Nantze Export Processing ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 9  ページ： 093526  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EM応力下でのSn4Ag0.5Cuはんだ接合における空間パターンをアンダーバンプメタライゼーション/金属間化合物(UBM/IMC)において実験的に得た。そのパターンはUBM層の消耗と電流集中に関連付けた。動力学モデルはUBM/IMC界面において空間伝播を描像するために改良し,採用した。連続条件に基づいて,ボイド成長速度を計算した。解析結果は実験データとよい一致を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *はんだ付 ,  *バンプ ,  *メタライゼーション ,  *スズ合金 ,  銅含有合金 ,  銀含有合金 ,  パターン形成 ,  *エレクトロマイグレーション ,  モデリング
準シソーラス用語： フリップチップ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： はんだ接合 ,  金属間化合物 ,  接合部 ,  伝播 ,  エレクトロマイグレーション ,  モデル化