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J-GLOBAL ID：201002267590856834   整理番号：10A0677207

活性酸化による原子スケールSi表面エッチングのAFM測定

AFM measurement of atomic-scale Si surface etching by active oxidation

著者 (4件)： MORITA Y. (Nanodevice Innovation Res. Center (NIRC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 16-1 ...) ,  MIGITA S. (Nanodevice Innovation Res. Center (NIRC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 16-1 ...) ,  MIZUBAYASHI W. (Nanodevice Innovation Res. Center (NIRC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 16-1 ...) ,  OTA H. (Nanodevice Innovation Res. Center (NIRC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 16-1 ...)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 604  号： 17-18  ページ： 1432-1437  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素分子の活性酸化によるクリーンSi表面の原子スケールエッチングを,ex-situ原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた。エッチング速度は,AFMにてエッチング深さを測定することによって直接決定した。SiO₂反エッチングマスクは,低pHのHF処理によって作製し,続いてH₂中で焼なましたH末端Si(001)-2×1:H表面に用いた。活性酸化条件下のエッチング速度はO₂圧にほぼ比例し,以前の報告と一致していた。エッチング速度は0.2eVの見かけ活性化エネルギーで弱い温度依存性を表した。エッチングから酸化物形成への反応モードの明確な遷移を,エッチングと酸化物形成条件間の境界条件近くに温度を下げることによるエッチング速度の急減として詳細に観察した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化 ,  *ケイ素 ,  表面 ,  *エッチング ,  原子間力顕微鏡 ,  酸素 ,  加工速度 ,  深さ ,  マスク ,  二酸化ケイ素 ,  pH【水素イオン指数】 ,  フッ化水素 ,  水素 ,  焼なまし ,  圧力 ,  活性化エネルギー ,  温度依存性 ,  酸化物 ,  境界条件
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  酸素分子

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 活性 ,  酸化 ,  原子スケール ,  Si ,  エッチング ,  AFM測定