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J-GLOBAL ID：201002267886611810   整理番号：10A1339308

ゲート誘電膜として液相成長Al₂O₃を用いたn-GaN/AlGaN/GaN系MOSHEMTへの短時間DCバイアス誘起ストレス効果

Effects of Short-Term DC-Bias-Induced Stress on n-GaN/AlGaN/GaN MOSHEMTs With Liquid-Phase-Deposited Al₂O₃ as a Gate Dielectric

著者 (5件)： BASU Sarbani (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SINGH Pramod K. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN Shun-Kuan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SZE Po-Wen (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG Yeong-Her (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 11  ページ： 2978-2987  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電膜として液相成長(LPD)Al₂O₃を用いた,n-GaN/AlGaN/GaN系金属-酸化膜-半導体高電子移動度トランジスタ(MOSHEMT),パッシベーションなしHEMTとパッシベーション有りHEMTのdc特性とドレイン電流コラプスの劣化へのドレインとゲートバイアスストレス効果について簡潔に調べ,比較した。ドレインバイアスストレス中,高電界と高チャンネル電流により加速した,ホットエレクトロンの発生により,全素子で素子性能の漸次劣化が起こった。これらのホットエレクトロンは,バリア,キャップまたはバッファー層内に捕獲され,再びトラップを発生した。ゲートバイアスストレス(V_gs=-20V)印加後,捕獲電子の脱離により,劣化した素子性能が部分的に回復した。MOSHEMTは,HEMTより性能を改善した。これから,dcバイアスストレス中の劣化を低減し,MOSHEMTの電流コラプスを減少するために,LPD成長Al₂O₃,ゲート誘電膜とパッシベーション層として効果的であることを示した。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  酸化アルミニウム ,  液相成長 ,  *不動態化 ,  不動態皮膜 ,  酸化膜 ,  誘電体薄膜 ,  容量電圧特性 ,  X線光電子分光法 ,  電流電圧特性 ,  *ゲート【半導体】 ,  漏れ電流 ,  *バイアス ,  ドレイン【半導体】 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： MOSHEMT ,  ゲート誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： ゲート ,  誘電膜 ,  液相成長 ,  Al2O3 ,  GaN ,  AlGaN ,  短時間 ,  DC ,  バイアス ,  誘起 ,  ストレス