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J-GLOBAL ID：201002268093799700   整理番号：10A0924907

無ドープ基板ETSOI FETとSOI FinFETのホットキャリア劣化

HOT-CARRIER DEGRADATION IN UNDOPED-BODY ETSOI FETs AND SOI FINFETs

著者 (14件)： WANG Miaomiao (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  KULKAMI Pranita (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  CHENG Kangguo (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  KHAKIFIROOZ Ali (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  BASKER V.S (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  JAGANNATHAN Hemanth (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  YEH Chun-Chen (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  PARUCHURI Vamsi (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  DORIS Bruce (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  BU Huiming (IBM Res. at Albany Nanotech, NY) ,  LIN Chung-Hsun (IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  STATHIS James H. (IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  MAITRA Kingsuk (GLOBALFOUNDRIES Inc, NY, USA) ,  OLDIGES Philip J. (SRDC, NY, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 1099-1104  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無ドープ基板上に作製した,超縮小high-κ(高誘電率)/金属ゲート極薄シリコン-オン-絶縁膜(ETSOI)FETとシリコン-オン-絶縁膜(SOI)FINFET素子のホットキャリア注入(HCI)効果について調べ,比較した。HCI効果は,両素子で異なる劣化機構を有することを示した。FINFETの場合,チャンネル領域内界面トラップ発生が支配的HCI機構であるが,スペーサ窒化膜領域内での電子電荷捕獲と界面トラップ発生が,ETSOI素子の劣化の原因であることを観測した。また,HCIのSi厚さと接合プロファイルへの依存性についても調べた。

シソーラス用語： *ホットキャリア ,  *劣化 ,  *FET【トランジスタ】 ,  フィン ,  *SOI構造 ,  基板 ,  酸化膜 ,  膜厚 ,  *キャリア注入 ,  空乏層 ,  ゲート【半導体】 ,  金属材料 ,  *超薄膜 ,  電位分布 ,  CAD【計算機】 ,  電子捕獲 ,  電荷 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： FinFET ,  金属ゲート ,  TCAD ,  電荷捕獲

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  FET ,  SOI ,  FinFET ,  ホットキャリア