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J-GLOBAL ID:201002268208750890   整理番号:10A0826241

ナノメートル設計Al/SiC周期的多重層: 多重法アプローチによるキャラクタリゼーション

Nanometer-designed Al/SiC periodic multilayers: characterization by a multi-technique approach
著者 (8件):
資料名:
巻: 42  号: 6/7  ページ: 653-657  発行年: 2010年06月 
JST資料番号: E0709A  ISSN: 0142-2421  CODEN: SIANDQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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極端紫外線(EUV)領域に対して設計した周期的なnm厚さのAl/SiC多重層をいろいろな補完的な方法を組み合わせて調べた。スタック内の元素の深さ元素/層分布,その化学的性質と光学的性質について調べた。Al上のSiC界面に高融点金属のWやMoの極めて薄い層を加えると,界面のラフネスを大きく減少させ,多重層スタックの構造品質を改良する。より鋭い界面の形成はToF-SIMSで確認した。X線発光分光法(XES)によると,AlとSiC層の間に化学反応はなく,ラフネスが純粋に幾何構造パラメータで化学的パラメータでないことを確認した。
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分類 (1件):
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固-固界面 

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