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J-GLOBAL ID:201002268551485426   整理番号:10A0122345

次世代シリコン太陽電池製造のためのプラズマ技術 8.大面積プラズマCVDプロセスの開発最前線

著者 (1件):
資料名:
巻: 86  号:ページ: 28-32  発行年: 2010年01月25日 
JST資料番号: G0114A  ISSN: 0918-7928  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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シリコン薄膜太陽電池の生産性向上のためには,微結晶シリコン膜の大面積(>4m2)・高速堆積(>2.5nm/s)技術の開発が不可欠である。そのプラズマCVD技術の研究開発の現状について,プラズマの大面積化・高密度化および光電変換効率向上の観点から,RFプラズマCVDとマイクロ波プラズマCVDを対比させて概観し,今後の課題について述べる。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  太陽電池 
引用文献 (17件):
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