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J-GLOBAL ID：201002268958524523   整理番号：10A0356144

パルス真空アーク蒸着法による炭化タングステン膜の合成

Preparation of Tungsten Carbide Films by Pulsed Vacuum Arc Deposition

著者 (2件)： 相澤孝一 (東京工大 大学院) ,  平田敦 (東京工大 大学院)
資料名： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
巻： 76  号： 4  ページ： 453-457  発行年： 2010年04月05日 
JST資料番号： F0268B  ISSN： 1348-8716  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究ではパルス真空アーク蒸着法により,無コバルト炭化タングステン焼結体を原料として炭化タングステン膜をSi基板上に合成し,合成した膜の組成および機械的特性をR.F.マグネトロンスパッタ膜と比較し検討した。これにより得た主な知見を次に示した。1)放電電圧-200V,電荷量0.88Cで合成した炭化タングステン膜でWC_1-x(111),(200),(220),(311)ピークが,他の条件で合成した膜ではWC_1-x(200)ピークのみが観察されるが,R.F.マグネトロンスパッタ膜ではピークは観察されないこと,2)基板位置を陰極から離して合成を行うと,合成速度は減少するが,ドロップレットが減少するため表面が平滑になり,さらに硬さが上昇して最大硬さ28GPaを示し,R.F.マグネトロンスパッタ膜よりも硬い膜が合成されること,3)合成した炭化タングステン膜の摩擦係数は0.4~0.5を示し,膜の硬さが大きくなるにつれて比摩耗率が小さくなり,2.2×10^-5mm³/(N・m)を示し,R.F.マグネトロンスパッタ膜よりも優れた耐摩耗性を示すこと。

シソーラス用語： *炭化タングステン ,  *蒸着膜 ,  イオンめっき ,  ケイ素 ,  基板 ,  マグネトロンスパッタリング ,  合成 ,  耐摩耗性 ,  摩擦係数 ,  摩耗 ,  X線回折 ,  *パルス波 ,  *機械的性質
準シソーラス用語： *真空アーク蒸着 ,  比摩耗量 ,  パルス電圧

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルス ,  真空アーク蒸着 ,  炭化タングステン