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J-GLOBAL ID:201002269093760281   整理番号:10A0732424

GaAsMMICの小型化のための多層インダクタの解析

An Analysis of Multi-Layer Inductors for Miniaturizing of GaAs MMIC
著者 (8件):
資料名:
巻: E93-C  号:ページ: 1119-1125  発行年: 2010年07月01日 
JST資料番号: L1370A  ISSN: 0916-8524  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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GaAs3次元MMIC上の新しく開発した多層インダクタについて述べた。1,2,3および4層積層型インダクタを解析した。これは,3層以上のGaAsMMIC上のインダクタとしては最初の報告と考えられる。1および多層インダクタの性能を測定し,電磁場シミュレーションにより計算した。多層インダクタは,2次元MMIC上の従来のインダクタと比較して,同じサイズであるにも拘らず2~11倍高いインダクタンスを示した。これは,提案したインダクタは,従来のインダクタと比較して,同じインダクタンスでより小さい面積をもつことを意味した。また,寄生容量,Q因子および自己共振周波数などの性能因子が,多層インダクタにおいて如何に劣化するかの従来のインダクタの場合と比較した初めての検討を実施した。多層インダクタを用いたマイクロ波増幅器を実証し,20%の回路サイズ低減を見出した。(翻訳著者抄録)
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半導体集積回路 
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