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J-GLOBAL ID：201002269134948495   整理番号：10A1065678

300°Cで透明性プラステイック上に作製した自己整合アモルファスシリコン薄膜トランジスタ

Self-Aligned Amorphous Silicon Thin-Film Transistors Fabricated on Clear Plastic at 300°C

著者 (4件)： CHERENACK K. H. (Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE) ,  HEKMATSHOAR B. (Princeton Univ., NJ, USA) ,  STURM James C. (Princeton Univ., NJ, USA) ,  WAGNER Sigurd (Princeton Univ., NJ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 10  ページ： 2381-2389  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デイスプレーガラス上で得た場合と比較して,同等な薄膜トランジスタ(TFT)性能を実現するとともに,フレキシブル水素添加アモルファスシリコン(a-Si:H)TFTと回路を,自立形透明性プラステイック(CP)箔基板の全加工領域上に作製できる実用化可能性を示した。熱応力により生じる基板歪みを克服するため,TFTのソース/ドレイン(S/D)電極,チャンネルパッシベーション,a-Si:H島領域とゲート電極間に自己整合方法を導入した。300°Cの窒化シリコン(SiN_x)最大成長温度で,3μmの小チャンネル長とゲートとの~1μmのS/D重畳を有する裏面チャンネルパッシベーションTFTをCP上に作製した。7.0cm×7.0cmの全マスク領域上に作製した,自己整合TFTは全て機能した。このa-Si:H TFTをリング発振器構成回路により試験した。これらの結果から,プラステイック基板上に最新の自己整合a-Si:H TFTとTFT回路を作製可能であることを示した。これにより,ガラス上と同等な安定性での自立形CP基板上へのa-Si:H TFT回路の作製に向けた大きな第一歩となることを示した。

シソーラス用語： アモルファスシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  *自己整合 ,  電子技術 ,  フレキシブル基板 ,  素子構造 ,  リング発振器 ,  透明材料 ,  プラスチック ,  電流電圧特性 ,  歪
準シソーラス用語： *フレキシブルエレクトロニクス ,  熱歪

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 透明性 ,  作製 ,  自己整合 ,  アモルファスシリコン ,  薄膜トランジスタ