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J-GLOBAL ID：201002269181700230   整理番号：10A0491001

相補型金属-酸化物-半導体スイッチング性能へのキャリア通過遅延の影響

Effect of Carrier Transit Delay on Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Switching Performance

著者 (10件)： HORI Daisuke (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIYAKE Masataka (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  SADACHIKA Norio (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MATTAUSCH Hans-Juergen (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIURA-MATTAUSCH Mitiko (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  IIZUKA Takahiro (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  HOSHIDA Teruhiko (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  MATSUZAWA Kazuya (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  SAHARA Yasuyuki (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  TSUKADA Toshiro (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DC15.1-04DC15.4  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相補型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(CMOSFET)インバータの高速スイッチング性能を解析した。インバータの伝搬遅延はもはやDC電流ベース推定によっては説明できないが,充電/放電電流が高周波動作下の伝搬遅延予測に必須であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： CMOS構造 ,  スイッチング ,  *キャリア ,  遅れ ,  MOSFET ,  *インバータ ,  高速度 ,  伝搬 ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： 高周波 ,  充電電流 ,  相補型金属酸化膜半導体構造 ,  遅延 ,  直流電流 ,  通過 ,  放電電流

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (6件)：

• M. Miura-Mattausch, N. Sadachika, D. Navarro, G. Suzuki, Y. Takeda, M. Miyake, T. Warabino, Y. Mizukane, R. Inagaki, T. Ezaki, H. J. Mattausch, T. Ohguro, T. Iizuka, M. Taguchi, S. Kumashiro, and S. Miyamoto: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)1994.
• E. Morifuji, P. Kapur, A. K. Chao, and Y. Nishi: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 1026.
• M. H. Na, E. J. Nowak, W. Haensch, and J. Cai: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 121.
• M. Miura-Mattausch, H. J. Mattausch, and T. Ezaki: The Physics and Modeling of MOSFETs: Surface-Potential Model HiSIM (World Scientific, Singapore, 2008) p. 978.
• D. Navarro, Y. Takeda, M. Miyake, N. Nakayama, K. Machida, T. Ezaki, H. J. Mattausch, and M. Miura-Mattausch: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)2025.

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  スイッチング性能 ,  キャリア ,  遅延