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J-GLOBAL ID：201002269503405450   整理番号：10A0918796

Fano共鳴によるシリコン中のサブミクロン解像度キャリア寿命解析

Submicron resolution carrier lifetime analysis in silicon with Fano resonances

著者 (6件)： GUNDEL Paul (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems (ISE), Freiburg, DEU) ,  SCHUBERT Martin C. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems (ISE), Freiburg, DEU) ,  HEINZ Friedemann D. (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems (ISE), Freiburg, DEU) ,  BENICK Jan (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems (ISE), Freiburg, DEU) ,  ZIZAK Ivo (Helmholtz-Zentrum Berlin BESSY II, Berlin, DEU) ,  WARTA Wilhelm (Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems (ISE), Freiburg, DEU)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 4  号： 7  ページ： 160-162  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： Fano共鳴 ,  シリコン ,  サブ ,  解像度 ,  キャリア寿命 ,  解析