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J-GLOBAL ID：201002269570991258   整理番号：10A1151918

エピタキシャルウルツ鉱型InN薄膜に対する成長方向依存硬度

Growth Orientation Dependent Hardness for Epitaxial Wurtzite InN Films

著者 (11件)： KATARIA Satender (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, IND) ,  LIU Ting-Wei (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIU Ting-Wei (Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  HSIAO Ching-Lien (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  DHARA Sandip (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, IND) ,  DHARA Sandip (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Li-Chyong (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Kuei-Hsein (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Kuei-Hsein (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  DASH Sitaram (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, IND) ,  TYAGI Ashok Kumar (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, IND)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 8  ページ： 5170-5174  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドギャップ半導体の力学特性に関する研究の一環として,本研究では,ヘテロエピタキシャルウルツ鉱型InN薄膜を,プラズマMBE法によりサファイア基板上に成長させて特性を調べた。その際,基板s面,a面またはr面上ではヘテロエピタクシーを,c面上ではホモエピタクシーを実現した。その結果,薄膜の硬度は,基板がc面の場合が最高(約8GPa)で,次がs面の場合(約5.5GPa),その次がa面の場合(約4GPa)であることが分かった。この結果を,Peierls力の計算で説明した。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *窒化インジウム ,  *半導体薄膜 ,  *ヘテロエピタクシー ,  MBE成長 ,  基板 ,  サファイア ,  結晶方位 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  弾性係数 ,  *硬度 ,  機械的性質 ,  Peierls力 ,  Burgersベクトル ,  滑り ,  結晶構造 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  ナノインデンテーション ,  *ホモエピタクシー ,  荷重-変形関係
準シソーラス用語： プラズマMBE ,  電界放出型走査電子顕微鏡

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  ウルツ鉱 ,  InN ,  薄膜 ,  成長方向 ,  硬度