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J-GLOBAL ID:201002270263321138   整理番号:10A0439813

酸化物半導体新材料の設計とアモルファス酸化物TFT開発の現状

著者 (2件):
資料名:
巻: 63  号:ページ: 20-30  発行年: 2010年04月23日 
JST資料番号: G0914A  ISSN: 0287-9840  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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透明酸化物導電体(Transparent Conductive Oxide:TOC)に電子や正孔などのキャリアをドープすることによる新しい機能材料の開発について述べた。「透明」でかつ「電気を良く流す」という両立しない機能を克服し,透明酸化物のp型半導体を作るためのアプローチを紹介した。TOCから高温超伝導体や薄型テレビへ発展し,さらに現在では半導体の能動層材料へと展開した状況を述べた。この半導体材料は,透明酸化物半導体(Transparent Oxide Semiconductor:TOS)と呼ばれている。
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
引用文献 (56件):
  • 細野秀雄, 神谷利夫,“透明金属が拓く脅威の世界 不可能に挑むナノテクノロジーの錬金術”, ソフトバンククリエイティブ株式会社 (2006).
  • 細野秀雄, 神谷利夫,“セラミックスの電磁気的・光学的性質”, セラミックス編集委員会基礎工学講座小委員会編, 社団法人セラミックス協会 p. 11(2006).
  • 日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第166委員会編, “透明導電膜の技術”第2版, オーム社 (2006).
  • 細野秀雄, 平野正浩監修,“透明酸化物機能材料とその応用”, シーエムシー出版 (2006)(2010年に新版発行予定).
  • Semicond. Sci. Technol.20(2005), 酸化物導電体・半導体の特集巻.
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