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J-GLOBAL ID：201002270432601919   整理番号：10A0582295

電子ビーム蒸着YSZ薄膜の結晶化と微細構造に及ぼす基板温度の影響

Effects of substrate temperatures on the crystallizations and microstructures of electron beam evaporation YSZ thin films

著者 (4件)： HUANG Hong-hsin (Dep. of Electrical Engineering, Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, Taiwan, TWN) ,  DIAO Chien-chen (Dep. of Electronic Engineering, Kao Yuan Univ., Kaohsiung, Taiwan, TWN) ,  YANG Cheng-fu (Dep. of Chemical and Materials Engineering, National Univ. of Kaohsiung, Kaohsiung, Taiwan, TWN) ,  HUANG Chien-jung (Dep. of Applied Physics, National Univ. of Kaohsiung, Kaohsiung, Taiwan, TWN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 500  号： 1  ページ： 82-86  発行年： 2010年06月18日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温(RT)から250°Cまで基板の温度を変化させて電子ビーム蒸着を用いて,Si(100)基板上にイットリウム安定化ジルコニア(YSZ)薄膜を成長させた。結晶組織,格子常数,粒成長,YSZ薄膜の歪およびSiウエハとYSZ薄膜間の界面Si_xO層の厚さに及ぼす種々の基板温度の影響を明らかにした。室温での蒸着でも,X線回折解析は(111),(200),(220),(311)面の反射ピークを形成した。用いられた種々の基板温度の変化に従って,(111),(200),(220),(311)面の相対反射強度は変化した。基板温度の上昇と共にYSZ薄膜の歪は増加し,200°Cで最大に達した。高分解能透過電子顕微鏡を用いて,SiウエハとYSZ薄膜に生成した非晶質中間層と格子ミスマッチ像の解析も行った。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 蒸着膜 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  *基板温度 ,  *結晶化 ,  *微細構造 ,  電子ビーム蒸着 ,  結晶方位 ,  不整合
準シソーラス用語： *YSZ【セラミック】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ビーム蒸着 ,  YSZ ,  薄膜 ,  結晶化 ,  微細構造 ,  基板温度