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J-GLOBAL ID：201002270439778458   整理番号：10A0978332

ロックインサーモグラフイを用いた完全実装と積層ダイ素子の非破壊欠陥深さ決定

Non-destructive defect depth determination at fully packaged and stacked die devices using Lock-in Thermography

著者 (4件)： SCHMIDT Christian (Fraunhofer Inst. Mechanics of Materials, Halle, DEU) ,  ALTMANN Frank (Fraunhofer Inst. Mechanics of Materials, Halle, DEU) ,  SCHLANGEN Rudolf (DCG Systems, CA, USA) ,  DESLANDES Herve (DCG Systems, CA, USA)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 352-356  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ロックインサーモグラフイ(熱画像方法)(LIT)を用いた,シングルチップと積層ダイ素子内の熱活性埋設欠陥の3次元(3D)位置決定用新非破壊方法を提案した。理論データと実験データの比較により,完全実装シングルチップと積層ダイ素子についてLITの応用方法を評価した。その結果,欠陥深さを非破壊的に決定するため,3D LITを適用することができることがわかった。異なる材料層中の熱波伝搬に関する基本物理原理に基づき,未知の厚さの単材料層下に欠陥が埋設されている場合と積層ダイ素子内の未知数のダイ下に埋設された欠陥の場合について,印加ロックイン周波数と位相シフト間の関係を決定した。モールド化合物の厚層下でも埋設欠陥の3D位置を決定できることを示した。さらに,積層ダイ構造の異なるダイ層を測定でき,顕著な位相シフト差を示した。これにより,パッケージ内の欠陥ダイの正確な決定を可能にした。しかし,一般的応用を実証し,特に位相シフトへの横方向欠陥位置(ダイの端部での欠陥など)の影響調べるため,この関係については将来さらに検討する必要がある。

シソーラス用語： *非破壊検査 ,  サーモグラフィー ,  三次元 ,  *故障点標定 ,  *欠陥検査 ,  熱画像 ,  位置決め ,  熱伝達 ,  積層構造 ,  位相シフト ,  *埋込み【挿入】 ,  *ICパッケージ ,  深さ分布 ,  熱拡散 ,  拡散距離 ,  半導体チップ
準シソーラス用語： ロックインサーモグラフィー ,  SiP ,  非破壊

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 実装 ,  ダイ ,  欠陥