文献

J-GLOBAL ID：201002271730767095   整理番号：10A1104345

ヘテロ接合型Si太陽電池への応用に向けたAlドープp形ナノ結晶3C-SiC:H/Si界面制御

著者 (3件)： 浜下大輔 (東京工大 大学院) ,  小長井誠 (東京工大 大学院) ,  小長井誠 (東工大 太陽光発電システム研究セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15A-ZB-8  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  P型半導体 ,  *ナノ結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  水素化物 ,  *ケイ素 ,  界面 ,  バッファ層 ,  寿命分布 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  *シリコン太陽電池 ,  開放電圧

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： ヘテロ接合 ,  Si ,  太陽電池 ,  応用 ,  Al ,  ドープ ,  ナノ結晶 ,  3C-SiC ,  界面制御