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J-GLOBAL ID：201002271926246166   整理番号：10A0924552

多数トランジスタ電荷捕集のSETパルス幅への効果

Effect of Multiple-Transistor Charge Collection on SET Pulse Widths

著者 (9件)： AHLBIN J. R. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  GADLAGE M. J. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  ATKINSON N. M. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  BHUVA B. L. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WITULSKI A. F. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  HOLMAN W. T. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  MASSENGILL L. W. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  EATON P. H. (Micro-RDC, NM, USA) ,  NARASIMHAM B. (Broadcom Corp., CA, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 198-202  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 130nmバルクCMOSプロセスを用いて,自律型パルス幅測定方法に基づく試験回路チップを作製し,60°の入射角で30MeVcm²/mgクリプトンにより試験した。ガードバンドの有無によるトランジスタ間のSETパルス幅を比較した。単一イベント電荷捕集緩和方法を用いる際の単一イベント過渡(SET)機構が,ガードバンドの有無によるトランジスタ間のSETパルス幅の相違の観測を説明できることを示した。垂直入射での以前の結果と対比して,実験データから,SETパルス幅を生じる斜角粒子衝突が,ガードバンド無しトランジスタよりガードバンド有りトランジスタの場合長時間であることを示した。デジタルSETパルス幅の3次元TCADシミュレーションにより,斜角粒子衝突がインバータセル内の多トランジスタによる電荷捕集を生じることを示した。多トランジスタによる電荷捕集が,唯一のトランジスタによる電荷捕集より,短SETパルスを生じるインバータセルへの電流の回復を増大した。電荷共有によるSETパルス幅変調に適正に対応することを確実にするため,試験とシミュレーションに斜角入射衝突を含む注意を払う必要がある。実際の露出環境は大きい立体角度にわたり起こる可能性があるため,この重要な機構を用いない解析は,不正確なソフトエラー率を予測する可能性があることを示した。

シソーラス用語： *パルス幅 ,  *ソフトエラー ,  *誤り率 ,  SEU【シングルイベント】 ,  *過渡現象 ,  論理素子 ,  *収集 ,  重イオン ,  三次元 ,  CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  *MOSFET ,  NMOS構造 ,  CMOS構造 ,  衝突
準シソーラス用語： シングルイベント過渡現象 ,  電荷収集 ,  TCAD ,  粒子衝突

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トランジスタ ,  電荷 ,  捕集 ,  SET ,  パルス幅