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J-GLOBAL ID：201002272287722772   整理番号：10A1152018

アルミニウムナノ結晶を含有する窒化アルミニウム薄膜を用いた2端子1回書き込み多数回読み取り記憶素子

A Two-Terminal Write-Once-Read-Many-Times-Memory Device Based on an Aluminum Nitride Thin Film Containing Al Nanocrystals

著者 (6件)： LIU Y. (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Sichuan, CHN) ,  CHEN T. P. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  DING L. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  LI Y. B. (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  ZHANG S. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  FUNG S. (Univ. Hong Kong, HKG)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 9  ページ： 5796-5799  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1回書き込み多数回読み取り記憶(WORM)は,無機/有機材料によって実現でき,従来使用されてきた大型の機械ドライブを使用せずに,大規模で高速なデータ記憶を可能とする。本稿では,アルミニウム・ナノ結晶(nc-Al)を含有する廉価なAIN薄膜を用いたWORM素子について報告した。まず,厚さが45nmのnc-Al/AIN膜を,RFマグネトロン・スパッタリングによって,n型(100)配向Siウェハ上に蒸着し,得られた膜を,透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。更に,この膜で作成したWORM素子の書き込み,及び,電気測定を実施した。この結果,高い正電圧を,十分長い間,ゲート電極に印加した時,高伝導状態から低伝導状態に切り替わることが示された。具体的には,100ms間の+10Vの電圧でnc-Alの帯電によって,伝導状態が切り替わり,1Vの読み取り電圧において,300を超える2つの記憶状態間の電流比が得られた。また,この切り替えは,nc-Alの帯電の結果によるnc-Alの伝導路の破壊によるものとされた。また,帯電状態(つまり,低伝導状態)は,1×106読み取り周期後も変わらないままであり,その記憶時間は,10年を越えるものと見込まれる。

シソーラス用語： *記憶素子 ,  *アルミニウム ,  *ナノ結晶 ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  蒸着膜 ,  スパッタ蒸着 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *保持時間 ,  電気伝導 ,  スイッチング ,  電流電圧特性 ,  *複合体
準シソーラス用語： *WORM

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： アルミニウム ,  ナノ結晶 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜 ,  書き込み ,  読み取り ,  記憶素子