文献

J-GLOBAL ID：201002272308116037   整理番号：10A0686261

マグネトロンスパッタリングを使った400°C以下の温度におけるSiO₂中のGeナノ粒子のサイズ制御合成

Size controlled synthesis of Ge nanocrystals in SiO₂ at temperatures below 400 °C using magnetron sputtering

著者 (4件)： ZHANG B. (ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS) ,  SHRESTHA S. (ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS) ,  GREEN M. A. (ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS) ,  CONIBEER G. (ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 26  ページ： 261901  発行年： 2010年06月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的な成長温度より非常に低い400°C以下の低温でGeナノ粒子(Ge-nc)を合成する簡単でシリコンプロセスと両立する技術を報告する。Ge-ncは350°Cと420°Cの間の温度窓内部にしか形成されないことが分った。その基礎となる化合物はVolmer-Weber成長と酸化反応との競合する過程で説明した。さらに,高い結晶品質の制御可能な結晶粒サイズを見せる多層化Ge-ncを作成する技術も実装した。本研究で開発した低温技術は,ガラスのような低コスト基板上にGe-ncや相対素子を作成できるであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *ゲルマニウム ,  *ナノ粒子 ,  薄膜成長 ,  酸化 ,  二酸化ケイ素 ,  結晶粒度 ,  Ramanスペクトル ,  X線光電子スペクトル ,  高分解能電子顕微鏡 ,  石英ガラス ,  埋込み【挿入】
準シソーラス用語： Volmer-Weber成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  SiO2 ,  Ge ,  ナノ粒子 ,  サイズ制御