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J-GLOBAL ID：201002272350290551   整理番号：10A1086243

hp32nmリソグラフィのための次世代EBマスク描画装置の評価

Evaluation of a Next Generation EB Mask Writer for hp 32nm Lithography

著者 (7件)： KOMAGATA Tadashi (JEOL Ltd., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Takahisa (JEOL Ltd., Tokyo, JPN) ,  GOTO Kazuya (JEOL Ltd., Tokyo, JPN) ,  KONO Kenji (HOYA CORP., TOKYO, JPN) ,  YAMAMOTO Ryuuji (HOYA CORP., TOKYO, JPN) ,  NISHIDA Naoki (HOYA CORP., TOKYO, JPN) ,  NAKAGAWA Yasutoshi (JEOL Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7748  ページ： 77480I.1-77480I.10  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： hp(ハーフピッチ)32nm世代のリソグラフィ技術には193nm液浸,EUVL(極端紫外線リソグラフィ),NIL(ナノインプリントリソグラフィ)がある。この中で193nm液浸が性能と製造コストの点でhp32nmデバイス製造の主流になると考えられる。ITRS2009によるとhp32nmデバイスのマスクは位置精度3.8nm(ダブルパターンニング2.7nm),CD均一性1.5nm(孤立ライン)2.4nm(密集ライン)などが要求されている。これらの要求に対応する加速電圧50kev,電流密度70A/cm2の可変成形ビームマスク描画装置JBX-3200MVを開発した。この描画装置のために位置の主偏向器,補助偏向器やビーム成形器によって電子ビーム光学系に入るノイズを減らす設計にして,新しいDACを開発した。ステージと露光チェンバを拡張して機械的ノイズを減らした。ステージの位置は分解能0.15nmのレーザデバイスで測定し,その結果をビーム位置にフィードバックした。さらにデータ転送速度,近接効果補正速度を改善するためより多くのデータを扱えるようにした。この新しい描画装置を先端マスク製造工場に設置しITRS2009に必要とされるhp32nmマスク精度を達成した。

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  マスク ,  回路パターン形成 ,  超精密加工 ,  *パターン転写 ,  *ビーム成形 ,  ステッパ
準シソーラス用語： 縮小投影露光装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： リソグラフィ ,  次世代 ,  EB ,  マスク ,  描画装置 ,  評価