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J-GLOBAL ID：201002272440266749   整理番号：10A0346602

パターン形成したサファイア基板上に成長させたGaN上の微細構造特性と転位発展 透過型電子顕微鏡研究

Microstructural properties and dislocation evolution on a GaN grown on patterned sapphire substrate: A transmission electron microscopy study

著者 (5件)： KIM Y. H. (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., 1 Doryong-Dong, Yuseong-Gu, Daejeon 305-340, KOR) ,  RUH H. (Korea Res. Inst. of Standards and Sci., 1 Doryong-Dong, Yuseong-Gu, Daejeon 305-340, KOR) ,  NOH Y. K. (Wooree LST Corp., Ansan-shi, Kyungki-do 425-833, KOR) ,  KIM M. D. (Dep. of Physics, Chungnam National Univ., 220 Gung-Dong, Yuseong-Gu, Daejeon 305-764, KOR) ,  OH J. E. (Div. of Electrical and Computer Engineering, Hanyang Univ., Ansan City, Kyunggi-do 425-791, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 6  ページ： 063501  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン形成サファイア基板(PSS)上に成長させたGaNの微細構造特性を,透過型電子顕微鏡を用いて詳細に調べて,転位挙動と成長挙動とを決定した。突出パターン上では,規則的で均一な再結晶GaN島状構造を観測した。平坦サファイア(FS)表面上では,GaNと基板との間に,〈1210〉_GaNオンFS∥〈1100〉_{サファイア}および{1101}_GaNオンFS∥{1213}_{サファイア}の結晶学的配向関係が存在した。一方,GaN層,傾斜サファイア(IS)表面上の再結晶GaN島状構造,およびPSSの間で,〈1210〉_GaN∥〈1210〉_GaNオンIS∥〈1100〉_{サファイア}および{1101}_GaN∥{0002}_GaNオンIS∥{1213}_{サファイア}の配向関係を確認した。突出パターン間の平坦表面では,GaNによる速やかな充填が始まった。次に,GaNは突出パターンを徐々に被覆し,成長時間の増大と共に頂点近傍で合体した。これら突出パターンの頂点近傍の合体点近傍で,貫通転位の発生を観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  基板 ,  サファイア ,  パターン形成 ,  微細構造 ,  *貫通転位 ,  結晶方位 ,  結晶構造 ,  結晶面 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  制限視野回折 ,  時間発展 ,  再結晶 ,  島状構造
準シソーラス用語： HRTEM ,  結晶方位関係

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： パターン形成 ,  サファイア基板 ,  成長 ,  GaN ,  微細 ,  構造特性 ,  転位 ,  発展 ,  透過型電子顕微鏡 ,  研究