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J-GLOBAL ID：201002272784184156   整理番号：10A0794114

3D集積化のための自己組織化単分子層(SAM)不動態化による低温バンプの少ないCu-Cuボンディング強化

Low Temperature Bump-less Cu-Cu Bonding Enhancement with Self Assembled Monolayer (SAM) Passivation for 3-D Integration

著者 (4件)： LIM Dau Fatt (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  WEI Jun (Singapore Inst. Manufacturing Technol.(SIMTech), Singapore) ,  NG Chee Mang (GLOBALFOUNDRIES, Singapore) ,  TAN Chuan Seng (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.3  ページ： 1364-1369  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積化回路の3D集積化(3D-IC)は小型で短い相互配線,高い帯域幅,低コストの利点がある。3D-ICではバンプの少ないCu-Cu直接ボンディングが優れているが,Cu表面の酸化制御が必要である。本稿では,自己組織化単分子層(SAM)によるCuボンディングの表面改質を検討した。Cuメタライゼーションして,表面を清澄化した後に,アルカンチオールのSAMで表面不動態化した。ボンダーチャンバ内でSAMをアニール除去した直後にCu-Cu熱圧接合した。接触角測定,XPS法,SIMSなどを用いて表面特性を評価した。この結果により,SAM処理がCu-Cu接合特性を改善することを示した。SAM処理によりCu表面の無欠陥性と均一接合性を改良した。300°C以下のCu-Cuウエハ接合で十分に結晶成長させた。

シソーラス用語： 三次元 ,  自己組織化 ,  単分子層 ,  不動態化 ,  バンプ ,  *銅 ,  *ボンディング【IC】 ,  帯域幅 ,  表面改質 ,  メタライゼーション ,  チオール
準シソーラス用語： 3D ,  Cu ,  アルカンチオール ,  チャンバ ,  *自己組織化単分子層 ,  *集積化 ,  相互配線 ,  低コスト

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  接着  (WC07020V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 3D集積化 ,  自己組織化単分子層 ,  SAM ,  不動態化 ,  低温 ,  バンプ ,  Cu ,  ボンディング ,  強化