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J-GLOBAL ID：201002272850679609   整理番号：10A0814342

Al_mGa_1-mN/GaN変調ドープ電界効果トランジスタの電流-電圧および小信号特性に対する精密解析モデル

Accurate Analytical Model for Current-Voltage and Small-Signal Characteristics of Al_mGa_1-mN/GaN Modulation-Doped Field-Effect Transistors

著者 (2件)： HOSSEINI Seyed Ehsan Abtahi (Sabzevar Tarbiat Moallem Univ., Sebzevar, IRN) ,  HOSSEINI Seyed Ebrahim (Sabzevar Tarbiat Moallem Univ., Sebzevar, IRN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 7,Issue 1  ページ： 074302.1-074302.6  発行年： 2010年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Al_mGa_1-mN/GaN変調ドープ電界効果トランジスタ(MODEFET)の電流-電圧および小信号特性に対する簡単な精密解析モデルを提示した。電荷制御モデルに対しては,シート担体濃度のフェルミポテンシャル変化,スペーサ層への2次元電子ガス波動関数の侵入,及びヘテロ界面における自発的及び圧電分極の効果を考慮した。また,解析には寄生ソース/ドレイン抵抗を取り込んだ。加えて,AlGaN/GaN MODFET素子の種々の特性に対する簡単で精密な方程式を得るために,適当なドリフト速度モデルと低電界移動度のゲート電圧依存性を用いた。本モデルをMATLAB環境に組み込んで,電流-電圧特性,相互コンダクタンス,出力コンダクタンス,容量-電圧特性,及びカットオフ周波数を計算した。シミュレーション結果のAl_0.15Ga_0.85N/GaNに対する既報実験データの比較から,両者が非常に良く一致することが示され,モデルの有効性が明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *変調ドーピング ,  *FET【トランジスタ】 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *電流電圧特性 ,  *窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *解析モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (24件)：

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• P. Ramvall, Y. Aoyagi, A. Kuramata, P. Hacke, and K. Horino: Appl. Phys. Lett.74(1999)3866.

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  変調ドープ ,  電界効果トランジスタ ,  信号特性 ,  精密 ,  解析モデル